Home [email protected] トンネル電界効果トランジスタ技術により実現するエネルギー効率のよいトランジスタ

トンネル電界効果トランジスタ技術により実現するエネルギー効率のよいトランジスタ

by admin

ノートルダム大学とペンシルベニア州立大学の研究者たちにより報告された最新研究によれば、効率性、利便性の面においてトンネル電解効果トランジスタ(Tunneling Field Effect Transistors /TFETs)が大きな一歩となる可能性があります。一般的な半導体では、電子が自由に動く前には一定のエネルギー障壁を通らなければなりませんが、量子トンネルでは、電子はそうした障壁に達することなく直接半導体を通り抜けることができます。まさに「トンネル」という名前が示す通り、簡単に通り抜けることができるのです。

More Energy Efficient Transistors through Quantum Tunneling

ノートルダム大学とペンシルベニア州立大学の研究者たちにより報告された最新研究によれば、効率性、利便性の面においてトンネル電解効果トランジスタ(Tunneling Field Effect Transistors /TFETs)が大きな一歩となる可能性があります。一般的な半導体では、電子が自由に動く前には一定のエネルギー障壁を通らなければなりませんが、量子トンネルでは、電子はそうした障壁に達することなく直接半導体を通り抜けることができます。まさに「トンネル」という名前が示す通り、簡単に通り抜けることができるのです。

この現象をコントロールすることにより、エネルギー効率が良く、過加熱もなく電力漏洩によるエネルギーの無駄もないトランジスタを作ることが可能です。またこのタイプのトランジスタにより、エネルギー消費量の少ない、より小さな電気機器製造の可能性が開かれました。トンネル電界効果トランジスタの発明により、機器自身の電力で動作する健康管理機器や埋め込み型の医療機器も実現可能となったのです。開発チームは現在、量子トンネル現象を起こす半導体の様々な原料の研究や、トンネル電解効果トランジスタとその効率を高める研究を進めています。

 

Via: ND

Today's Top Articles:

You may also like